di/dt在可控硅工作时注意事项

di/dt--指可控硅通态电流临界上升率。

   随着晶闸管在各类大功率感应加热电源、变频器、交流开关、电机控制、脉冲功率等领域的应用逐步扩大，越来越多的用户对晶闸管器件提出了较高的电流上升率要求。
   西安瑞新电力电子有限责任公司专业生产可控硅20年，通过优化设计和严格的工艺控制，大大提升了器件的开通临界电流上升率di/dt。经测试，所生产的高频、快速、普通系列可控硅di/dt性能均已达到国外同类产品水平。 

　　1．晶闸管的di/dt承受能力与其芯片结温有直接关系，di/dt承受能力随着温度的上升会有明显的下降。因此用户在使用时必须保证器件的散热条件。要求在工作过程中，普通晶闸管：Tj≤125°C，高频、快速晶闸管：Tj≤115°C。

　　2．晶闸管的di/dt承受能力实际反映了器件的电流快速开通能力，它受器件门较触发条件影响很大。采用上升率较陡的强触发脉冲，可以明显减小器件开通时间和开通损耗，增强器件di/dt承受能力。我们建议的触发脉冲要求为：

　　触发电流幅值：IGM=4-10IGT

　　触发电流上升时间：tr小于1μs

　　3．晶闸管在承受过高的di/dt时，会在其芯片产生局部瞬时高温，这种局部瞬时高温在长期工作中会影响器件的工作寿命。因此，使用者在任何时候，都应保证di/dt不应**过器件生产厂家给出的规定值，并且留有一定裕量。

　　4．晶闸管的di/dt与其开通损耗关系较大，晶闸管高di/dt应用于高频率场合时，需考虑开通损耗上升引起的结温上升，用户应考虑降低器件通过的通态电流或增强器件散热能力。


更多有关晶闸管、整流管、散热器知识欢迎访问西安瑞新可控硅网（），20年专注品质。